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半导体器件
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机构所在地
工艺分析
  • 检测能力名称
  • 一级类别
  • 二级类别
  • 标准编号
  • 限制范围/说明
  • 资质说明
  • MEMS封盖去除 | MEMS Decap
  • MEMS封盖去除 | MEMS Decap
  • FIB修改电路/观测 | FIB Modified Circuit/Observation
  • FIB修改电路/观测 | FIB Modified Circuit/Observation
工程服务平台 | SITRI | 上海微技术工业研究院 上海
IGBT模块测试
  • 检测能力名称
  • 一级类别
  • 二级类别
  • 标准编号
  • 限制范围/说明
  • 资质说明
  • IGBT功率循环 | IGBT Power Cycling Testing
  • IGBT功率循环 | IGBT Power Cycling Testing
  • IGBT功率循环 | 首24小时 | IGBT Power Cycling Testing
  • IGBT功率循环 | 首24小时 | IGBT Power Cycling Testing
工程服务平台 | SITRI | 上海微技术工业研究院 上海
电路分析
  • 检测能力名称
  • 一级类别
  • 二级类别
  • 标准编号
  • 限制范围/说明
  • 资质说明
  • 电路分析 I | Circuit Analysis Level I
  • 电路分析 I | Circuit Analysis Level I
  • 电路分析 II | Circuit Analysis Level II
  • 电路分析 II | Circuit Analysis Level II
工程服务平台 | SITRI | 上海微技术工业研究院 上海
IC晶圆测试
  • 检测能力名称
  • 一级类别
  • 二级类别
  • 标准编号
  • 限制范围/说明
  • 资质说明
  • IC晶圆打点 | MEMS Wafer Dotting
  • IC晶圆打点 | MEMS Wafer Dotting
  • IC晶圆测试 | IC Wafer Probe
  • IC晶圆测试 | IC Wafer Probe
工程服务平台 | SITRI | 上海微技术工业研究院 上海
MEMS晶圆测试
  • 检测能力名称
  • 一级类别
  • 二级类别
  • 标准编号
  • 限制范围/说明
  • 资质说明
  • MEMS性能参数标定 | MEMS Calibration 31800
  • MEMS性能参数标定 | MEMS Calibration 31800
  • MEMS晶圆打点 | MEMS Wafer Dotting
  • MEMS晶圆打点 | MEMS Wafer Dotting
工程服务平台 | SITRI | 上海微技术工业研究院 上海
MEMS成品测试
  • 检测能力名称
  • 一级类别
  • 二级类别
  • 标准编号
  • 限制范围/说明
  • 资质说明
  • MEMS成品测试夹具 | MEMS Final Testing Kit
  • MEMS成品测试夹具 | MEMS Final Testing Kit
  • MEMS成品测试工程费用 | MEMS Final Testing NRE
  • MEMS成品测试工程费用 | MEMS Final Testing NRE
工程服务平台 | SITRI | 上海微技术工业研究院 上海
场效应晶体管
  • 检测能力名称
  • 一级类别
  • 二级类别
  • 标准编号
  • 限制范围/说明
  • 资质说明
  • 静态漏—源通态电阻
  • 半导体器件 第10部分 分立器件和集成电路总规范
  • 正向跨导
  • 半导体器件 分立器件第IV章
江苏长电科技股份有限公司品质试验中心 上海
二极管
  • 检测能力名称
  • 一级类别
  • 二级类别
  • 标准编号
  • 限制范围/说明
  • 资质说明
  • 击穿电压
  • 半导体器件 第10部分 分立器件和集成电路总规范
  • 只测:1000V以下
  • 正向电压
  • 半导体器件 第10部分 分立器件和集成电路总规范
  • 只测:正向电流20A以下的正向电压
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电子元器件
  • 检测能力名称
  • 一级类别
  • 二级类别
  • 标准编号
  • 限制范围/说明
  • 资质说明
  • 稳态湿热
  • 稳态湿热偏置寿命试验全部
  • 锡须生长
  • 测量锡和锡合金表面镀覆锡须生长的方法全部
江苏长电科技股份有限公司品质试验中心 上海
双极型晶体管
  • 检测能力名称
  • 一级类别
  • 二级类别
  • 标准编号
  • 限制范围/说明
  • 资质说明
  • 共发射极正向电流传输比
  • 半导体分立器件和集成电路 第7部分第IV章
  • 集电极-基极截止电流
  • 半导体器件 第10部分 分立器件和集成电路总规范
  • 只测:反向电压1000V以下的截止电流
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