一、系统规格及型号：
(1)机型：FEI FIB986-G5
(2)离子枪：高电压离子源
(3)电压：Vacc (Accelerating voltage): 0.5 ~ 50 kV
Vext (Emission extracting voltage): 0 ~ 6.5 kV
(4)分辨率：5 nm at 25 keV
(5)放大倍率：200 ~ 15000倍
(6)可观察范围：x: 0~25mm; y: 0~25mm; z: 5~30mm
(7)超高真空系统：~10-8 Pa
(8)可侦测讯号：二次离子、二次电子影像
二、 FIB之定义
FIB 是英文(Focused Ion Beam)的缩写,依字面翻译为聚焦离子束.
简单的说就是将Ga(镓)元素离子化成Ga+, 然后利用电场加速.再利用静电透镜(electrostatic)来聚焦,而用数控系统来将高能量(高速)的Ga+打到指定的点，然而，当离子束打到芯片后会激发二次离子及二次电子。这些二次离子及二次电子会被侦测器侦测，会将类比讯号转成数位讯号，经由讯号处理器将讯号放大到计算机进而人员就可在计算机荧幕上看到芯片的表面形貌，再藉由辅助气体与离子束的配合(例如:铂金(PT)之配合，来沉积线路，而用碘气(I2)来蚀刻(切线)金属线路)，以针对客户对所指定的芯片区碱及方案内容，开始作线路修改作业。
