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    FIB 是 Focused Ion Beam 的缩写, 即聚焦离子束。利用镓(Gallium)作为离子源并加予5万伏特的高压使得镓撞击芯片表面产生二次电子成像。 再配合蚀刻(Etching)以及沉积(Deposition)气体达成在芯片上切线或是镀线的目的。

    IC在初期研发的时候常常产生一些与设计者想法不同的缺陷, FIB提供了IC设计公司直接在IC上做修改线路的机会,以达到验证的效果让产品早日上市。