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西南技术物理研究所检测校准中心实验室西南技术物理研究所检测校准中心实验室

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光电耦合器

检测能力
  • 正向电压
    能力名称：正向电压
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体光电耦合器测试方法/SJ/T2215-2015
    限制说明：只测：±1V～±10V
    资质说明：
  • 反向电流
    能力名称：反向电流
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体光电耦合器测试方法/SJ/T 2215-2015
    限制说明：只测：4uA～40mA
    资质说明：
  • 反向击穿电压
    能力名称：反向击穿电压
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体光电耦合器测试方法/SJ/T 2215-2015
    限制说明：只测：10V～500V
    资质说明：
  • 输出截止电流
    能力名称：输出截止电流
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体光电耦合器测试方法/SJ/T 2215-2015
    限制说明：只测：4uA～40mA
    资质说明：
  • 电流传输比
    能力名称：电流传输比
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体光电耦合器测试方法/SJ/T 2215-2015
    限制说明：只测：±40uA～±40A
    资质说明：
  • 集电极-发射极击穿电压
    能力名称：集电极-发射极击穿电压
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体光电耦合器测试方法/SJ/T2215-2015
    限制说明：只测：10V～500V
    资质说明：
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检测分类

全部

检测能力 检测标准 标准编号 限制范围 资质说明
正向电压 半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 只测：±1V～±10V
反向电流 半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 只测：4uA～40mA
反向击穿电压 半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 只测：10V～500V
输出截止电流 半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 只测：4uA～40mA
电流传输比 半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015 只测：±40uA～±40A
集电极-发射极击穿电压 半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 只测：10V～500V