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南京奥马微波光电产品检测中心有限公司南京奥马微波光电产品

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电子元器件

检测能力
  • 耐焊接热
    能力名称：耐焊接热
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009 方法
    限制说明：只测: 试验条件A:烙焊,试验条件B:浸焊
    资质说明：
  • 温度变化
    能力名称：温度变化
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009
    限制说明：只测: 容积:0.35m3 温度:-80℃~+220℃
    资质说明：
  • X射线照相
    能力名称：X射线照相
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：只测: 靶功率:≤20W; 最小特征尺寸:0.35μm； 最大检测面积:458*407mm2
    资质说明：
  • 电老炼
    能力名称：电老炼
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 振动
    能力名称：振动
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009
    限制说明：只测: 推力:≤20kN 频率:5Hz~2000Hz 位移（峰-峰）:≤50.8mm 加速度:≤740m/s2 负载:≤50kg 不测: 方法204,试验条件H 方法214,试验条件Ⅰ（K）,试验条件Ⅱ（J、K）
    资质说明：
  • 冲击
    能力名称：冲击
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009
    限制说明：只测: 加速度:≤15000m/s2（半正弦波）,≤1000m/s2（后峰锯齿波） 脉冲持续时间:≤40ms（半正弦波）; 6ms~20ms（后峰锯齿波） 负载:≤100kg
    资质说明：
  • 绝缘电阻
    能力名称：绝缘电阻
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：
    资质说明：
  • 粒子碰撞噪声检测
    能力名称：粒子碰撞噪声检测
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：只测: 冲击加速度:≤25000m/s2 振动加速度:≤252m/s2 载荷:≤0.4kg
    资质说明：
  • 目检
    能力名称：目检
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：只测：内部目检，外部目检
    资质说明：
  • 电老炼
    能力名称：电老炼
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：
    资质说明：
  • 芯片粘结强度
    能力名称：芯片粘结强度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB 548B-2005
    限制说明：只测: 拉力≤50kg
    资质说明：
  • X射线照相
    能力名称：X射线照相
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：只测: 靶功率:≤20W; 最小特征尺寸:0.35μm； 最大检测面积:458*407mm2
    资质说明：
  • 静电放电敏感度分类
    能力名称：静电放电敏感度分类
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：只测: 放电电压:±0.10kV~±8.0kV,10V/step 间隔时间:0.3s~99s,0.1s/step 人体模型、机械模型
    资质说明：
  • 芯片剪切强度
    能力名称：芯片剪切强度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：只测: 拉力:≤50kg 破坏性和非破坏性剪切强度试验
    资质说明：
  • 振动
    能力名称：振动
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：只测: 推力:≤20kN 频率:5Hz~2000Hz 位移（峰-峰）:≤50.8mm 加速度:≤740m/s2 负载:≤50kg 不做: 方法2007,试验条件C 方法2026.1,试验条件1（K）,试验条件2（J、K）
    资质说明：
  • 目检
    能力名称：目检
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：军用电子元器件破坏性物理分析方法/GJB 4027A-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 耐湿
    能力名称：耐湿
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009
    限制说明：只测: 容积:1m3 推力:≤20kN 频率:5Hz~2000Hz 位移（峰-峰）:≤50.8mm 加速度:≤740m/s2 负载:≤50kg
    资质说明：
  • X射线照相
    能力名称：X射线照相
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009
    限制说明：只测: 靶功率:≤20W; 最小特征尺寸:0.35μm； 最大检测面积:458*407mm2
    资质说明：
  • 可焊性
    能力名称：可焊性
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：
    资质说明：
  • 引出端强度
    能力名称：引出端强度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：
    资质说明：
  • 可焊性
    能力名称：可焊性
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB 548B-2005
    限制说明：
    资质说明：
  • 冲击
    能力名称：冲击
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：只测: 加速度:≤15000m/s2（半正弦波）,≤1000m/s2（后峰锯齿波） 脉冲持续时间:≤40ms（半正弦波）; 6ms~20ms（后峰锯齿波） 负载:≤100kg
    资质说明：
  • 盐雾
    能力名称：盐雾
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009
    限制说明：只测: 容积:≤1m3
    资质说明：
  • 耐湿
    能力名称：耐湿
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：只测: 容积:1m3
    资质说明：
  • 键合强度
    能力名称：键合强度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：只测: 拉力≤1N 试验条件A、B
    资质说明：
  • 制样镜检
    能力名称：制样镜检
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：军用电子元器件破坏性物理分析方法/GJB 4027A-2006
    限制说明：
    资质说明：
  • 密封
    能力名称：密封
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009
    限制说明：只测: 试验条件C和试验条件D
    资质说明：
  • 粒子碰撞噪声检测
    能力名称：粒子碰撞噪声检测
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：只测: 冲击加速度:≤25000m/s2 振动加速度:≤252m/s2 载荷:≤0.4kg
    资质说明：
  • 盐雾
    能力名称：盐雾
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：只测: 容积:≤1m3
    资质说明：
  • 密封
    能力名称：密封
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：只测: 试验条件A1,A2,A4和试验条件C
    资质说明：
  • 冲击
    能力名称：冲击
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：只测: 加速度:≤15000m/s2（半正弦波）,≤1000m/s2（后峰锯齿波） 脉冲持续时间:≤40ms（半正弦波）; 6ms~20ms（后峰锯齿波） 负载:≤100kg 只测: 试验条件A、B
    资质说明：
  • 芯片剪切强度
    能力名称：芯片剪切强度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：只测: 拉力:≤50kg 破坏性和非破坏性剪切强度试验
    资质说明：
  • 电老炼
    能力名称：电老炼
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：只测: 电容器,二极管,三极管,场效应管,光耦
    资质说明：
  • 引出端强度
    能力名称：引出端强度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：不测: 试验条件F
    资质说明：
  • 恒定加速度
    能力名称：恒定加速度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009
    限制说明：只测: 加速度:≤300000m/s2
    资质说明：
  • 振动
    能力名称：振动
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：只测: 推力:≤20kN 频率:5Hz~2000Hz 位移（峰-峰）:≤50.8mm 加速度:≤740m/s2 负载:≤50kg
    资质说明：
  • 密封
    能力名称：密封
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：只测: 试验条件C和试验条件H1或H2
    资质说明：
  • 温度变化
    能力名称：温度变化
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：只测: 容积:0.35m3 温度:-80℃~+220℃
    资质说明：
  • 恒定加速度
    能力名称：恒定加速度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：只测: 加速度:≤300000m/s2 只测: 试验条件A~E
    资质说明：
  • 键合强度
    能力名称：键合强度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：只测: 拉力:≤1N 方法2011.1中试验条件A、C、D、H
    资质说明：
  • 可焊性
    能力名称：可焊性
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009 方法
    限制说明：
    资质说明：
  • 绝缘电阻
    能力名称：绝缘电阻
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：
    资质说明：
  • 引出端强度
    能力名称：引出端强度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009
    限制说明：不测: 试验条件D
    资质说明：
  • 热冲击
    能力名称：热冲击
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：只测: 容积:≤0.04m3 温度:-67℃~+170℃
    资质说明：
  • 盐雾
    能力名称：盐雾
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：只测: 容积:≤1m3
    资质说明：
  • 目检
    能力名称：目检
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：
    资质说明：
  • 声学扫描显微镜检查
    能力名称：声学扫描显微镜检查
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：军用电子元器件破坏性物理分析方法/GJB 4027A-2006
    限制说明：只测: 换能器频率:15MHz、30MHz、50MHz、100MHz、230MHz；分辨率:0.5μm
    资质说明：
  • 温度变化
    能力名称：温度变化
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：只测: 容积:0.35m3 温度:-80℃~+220℃
    资质说明：
  • 耐湿
    能力名称：耐湿
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：只测: 容积:1m3
    资质说明：
  • 绝缘电阻
    能力名称：绝缘电阻
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009
    限制说明：
    资质说明：
  • 粒子碰撞噪声检测
    能力名称：粒子碰撞噪声检测
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：电子及电气元件试验方法/GJB360B-2009
    限制说明：只测: 冲击加速度:≤25000m/s2 振动加速度:≤252m/s2 载荷:≤0.4kg
    资质说明：
  • 恒定加速度
    能力名称：恒定加速度
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：只测: 加速度:≤300000m/s2
    资质说明：
  • 耐焊接热
    能力名称：耐焊接热
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明：
    资质说明：
  • 静电放电敏感度分类
    能力名称：静电放电敏感度分类
    一级类别：
    二级类别：
    标准名称/编号：微电子器件试验方法和程序/GJB548B-2005
    限制说明：只测: 放电电压:±0.10kV~±8.0kV,10V/step 间隔时间:0.3s~99s,0.1s/step 人体模型、机械模型
    资质说明：
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检测分类

全部

检测能力 检测标准 标准编号 限制范围 资质说明
耐焊接热 电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法 只测: 试验条件A:烙焊,试验条件B:浸焊
温度变化 电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 只测: 容积:0.35m3 温度:-80℃~+220℃
X射线照相 微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 只测: 靶功率:≤20W; 最小特征尺寸:0.35μm； 最大检测面积:458*407mm2
电老炼 电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009
振动 电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 只测: 推力:≤20kN 频率:5Hz~2000Hz 位移（峰-峰）:≤50.8mm 加速度:≤740m/s2 负载:≤50kg 不测: 方法204,试验条件H 方法214,试验条件Ⅰ（K）,试验条件Ⅱ（J、K）
冲击 电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 只测: 加速度:≤15000m/s2（半正弦波）,≤1000m/s2（后峰锯齿波） 脉冲持续时间:≤40ms（半正弦波）; 6ms~20ms（后峰锯齿波） 负载:≤100kg
绝缘电阻 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997
粒子碰撞噪声检测 微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 只测: 冲击加速度:≤25000m/s2 振动加速度:≤252m/s2 载荷:≤0.4kg
目检 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 只测：内部目检，外部目检
电老炼 微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005