检测能力 | 检测标准 | 标准编号 | 限制范围 | 资质说明 | |||||
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集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO | 半导体分立器件试验方法 | GJB128A-1997 |
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高温寿命(非工作) | 半导体分立器件试验方法 | GJB128A-1997 | 能做:高温温度≤200℃ |
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基极-发射极饱和电压VBEsat | 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管 GB/T第IV章 |
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集电极-发射极截止电流ICEO | 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管 GB/T第IV章 |
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集电极-发射极饱和电压VCEsat | 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管 GB/T第IV章 |
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高温反偏 | 半导体分立器件试验方法 | GJB128A-1997 | 能做:老化电压≤1500V |
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温度循环 | 半导体分立器件试验方法 | GJB128A-1997 | 能做:-65℃~200℃ |
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粒子碰撞噪声检测试验(PIND) | 半导体分立器件试验方法 | GJB128A-1997 | 不测:负荷>400g。 |
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恒定加速度 | 半导体分立器件试验方法 | GJB128A-1997 | 不测:试件规格> 76.33mm×38.23mm×10.16mm, 加速度值>294000 m/s 2。。 |
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发射极-基极截止电流IEBO | 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管 | GB/T4587-1994 第IV章 |
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