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湖北航天技术研究院计量测试技术研究所湖北航天技术研究院计量研究所

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分立器件检测晶体管

检测能力
  • 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO
    能力名称:集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明:
    资质说明:
  • 高温寿命(非工作)
    能力名称:高温寿命(非工作)
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明:能做:高温温度≤200℃
    资质说明:
  • 基极-发射极饱和电压VBEsat
    能力名称:基极-发射极饱和电压VBEsat
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管 GB/T第IV章/
    限制说明:
    资质说明:
  • 集电极-发射极截止电流ICEO
    能力名称:集电极-发射极截止电流ICEO
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管 GB/T第IV章/
    限制说明:
    资质说明:
  • 集电极-发射极饱和电压VCEsat
    能力名称:集电极-发射极饱和电压VCEsat
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管 GB/T第IV章/
    限制说明:
    资质说明:
  • 高温反偏
    能力名称:高温反偏
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明:能做:老化电压≤1500V
    资质说明:
  • 温度循环
    能力名称:温度循环
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明:能做:-65℃~200℃
    资质说明:
  • 粒子碰撞噪声检测试验(PIND)
    能力名称:粒子碰撞噪声检测试验(PIND)
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明:不测:负荷>400g。
    资质说明:
  • 恒定加速度
    能力名称:恒定加速度
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明:不测:试件规格> 76.33mm×38.23mm×10.16mm, 加速度值>294000 m/s 2。。
    资质说明:
  • 发射极-基极截止电流IEBO
    能力名称:发射极-基极截止电流IEBO
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管/GB/T4587-1994 第IV章
    限制说明:
    资质说明:
  • 发射极-基极击穿电压V(BR)EBO
    能力名称:发射极-基极击穿电压V(BR)EBO
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管 GB/T第IV章/
    限制说明:
    资质说明:
  • 密封性检查
    能力名称:密封性检查
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明:
    资质说明:
  • 外部目检
    能力名称:外部目检
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明:
    资质说明:
  • 正向电流传输比HFE
    能力名称:正向电流传输比HFE
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管/GB/T4587-1994 第IV章
    限制说明:
    资质说明:
  • 集电极-基极截止电流ICBO
    能力名称:集电极-基极截止电流ICBO
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管/GB/T4587-1994 第IV章
    限制说明:能做:功率0~300W, 特征频率0~500MHz
    资质说明:
  • 稳态功率
    能力名称:稳态功率
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明:能做:功率0~300W
    资质说明:
  • 集电极-基极击穿电压V(BR)CBO
    能力名称:集电极-基极击穿电压V(BR)CBO
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管 GB/T第IV章/
    限制说明:
    资质说明:

检测分类

全部

检测能力 检测标准 标准编号 限制范围 资质说明
集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997
高温寿命(非工作) 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 能做:高温温度≤200℃
基极-发射极饱和电压VBEsat 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管 GB/T第IV章
集电极-发射极截止电流ICEO 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管 GB/T第IV章
集电极-发射极饱和电压VCEsat 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管 GB/T第IV章
高温反偏 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 能做:老化电压≤1500V
温度循环 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 能做:-65℃~200℃
粒子碰撞噪声检测试验(PIND) 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 不测:负荷>400g。
恒定加速度 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 不测:试件规格> 76.33mm×38.23mm×10.16mm, 加速度值>294000 m/s 2。。
发射极-基极截止电流IEBO 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极性晶体管 GB/T4587-1994 第IV章