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北京青云航空仪表有限公司理化计量中心北京青云航空仪表理化计量中心

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理化检测晶体管

检测能力
  • 集电极-发射极击穿电压
    能力名称:集电极-发射极击穿电压
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管/GB/T4587-1994
    限制说明:只测≤500V的电压;不测表面贴装器件
    资质说明:
  • 发射极-基极截止电流
    能力名称:发射极-基极截止电流
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管/GB/T4587-1994
    限制说明:只测40µA~4A的电流;不测表面贴装器件
    资质说明:
  • 稳态功率
    能力名称:稳态功率
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明:老化功率≤50W;不测表面贴装器件
    资质说明:
  • 集电极-基极截止电流
    能力名称:集电极-基极截止电流
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管/GB/T4587-1994
    限制说明:只测40µA~4A的电流;不测表面贴装器件
    资质说明:
  • 集电极-基极击穿电压
    能力名称:集电极-基极击穿电压
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管/GB/T4587-1994
    限制说明:只测≤500V的电压;不测表面贴装器件
    资质说明:
  • 集电极-发射极截止电流
    能力名称:集电极-发射极截止电流
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管/GB/T4587-1994 第Ⅳ章第1节
    限制说明:只测40µA~4A的电流;不测表面贴装器件
    资质说明:
  • 栅-源截止电压
    能力名称:栅-源截止电压
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管/GB/T4586-1994
    限制说明:只测≤500V的电压;不测表面贴装器件
    资质说明:
  • 温度循环
    能力名称:温度循环
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明:只测高温温度≤220℃
    资质说明:
  • 发射极-基极击穿电压
    能力名称:发射极-基极击穿电压
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管/GB/T4587-1994
    限制说明:只测≤500V的电压;不测表面贴装器件
    资质说明:
  • 共发射极正向电流传输比的静态值
    能力名称:共发射极正向电流传输比的静态值
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管/GB/T4587-1994 第Ⅳ章第2节
    限制说明:只测40µA~4A的电流;不测表面贴装器件
    资质说明:
  • 漏-源击穿电压
    能力名称:漏-源击穿电压
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件试验方法/GJB128A-1997
    限制说明:只测≤500V的电压;不测表面贴装器件
    资质说明:
  • 高温反偏
    能力名称:高温反偏
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997/
    限制说明:只测老化电压≤600V
    资质说明:
  • 集电极-发射极饱和电压
    能力名称:集电极-发射极饱和电压
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管/GB/T4587-1994
    限制说明:只测≤500V的电压;不测表面贴装器件
    资质说明:
  • 漏极电流
    能力名称:漏极电流
    一级类别:
    二级类别:
    标准名称/编号:半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管/GB/T4586-1994
    限制说明:只测:40µA~4A的电流;不测表面贴装器件
    资质说明:

检测分类

全部

检测能力 检测标准 标准编号 限制范围 资质说明
集电极-发射极击穿电压 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994 只测≤500V的电压;不测表面贴装器件
发射极-基极截止电流 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994 只测40µA~4A的电流;不测表面贴装器件
稳态功率 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 老化功率≤50W;不测表面贴装器件
集电极-基极截止电流 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994 只测40µA~4A的电流;不测表面贴装器件
集电极-基极击穿电压 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994 只测≤500V的电压;不测表面贴装器件
集电极-发射极截止电流 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994 第Ⅳ章第1节 只测40µA~4A的电流;不测表面贴装器件
栅-源截止电压 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 GB/T4586-1994 只测≤500V的电压;不测表面贴装器件
温度循环 半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 只测高温温度≤220℃
发射极-基极击穿电压 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994 只测≤500V的电压;不测表面贴装器件
共发射极正向电流传输比的静态值 半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管 GB/T4587-1994 第Ⅳ章第2节 只测40µA~4A的电流;不测表面贴装器件