| 检测能力 | 检测标准 | 标准编号 | 限制范围 | 资质说明 |
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| 漏源极截止电流IDSS | 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 | GB/T4586-1994 第IV章 |
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| 栅源极截止(漏泄)电流IGSS | 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 | GB/T4586-1994 第IV章 |
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| 栅源击穿电压V(BR)GSS | 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 | GB/T4586-1994 第IV章 |
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| 漏源击穿电压V(BR)DSS | 半导体分立器件试验方法 | GJB128A-1997 |
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| 静态漏-源通态电阻rDS | 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 | GB/T4586-1994 第IV章 |
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| 栅-源阈值电压VGS(th) | 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 | GB/T4586-1994 第IV章 |
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| 栅-源截止电压VGSoff | 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 | GB/T4586-1994 第IV章 |
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| 正向跨导gfs | 半导体器件分立器件第8部分:场效应晶体管 | GB/T4586-1994 第IV章 |
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