检测能力 | 检测标准 | 标准编号 | 限制范围 | 资质说明 |
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温升和耗散功率 | 低压熔断器第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 | IEC 60269-4:2012 |
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额定电流验证 | 低压熔断器第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 | IEC 60269-4:20128.4.3.2 |
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约定不熔断电流 | 低压熔断器第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 | IEC 60269-4:2012 |
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约定熔断电流 | 低压熔断器第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 | IEC 60269-4:20128.4.3.1b) |
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分断能力验证 | 低压熔断器第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 | IEC 60269-4:2012 |
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全部参数 | 低压熔断器第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 | IEC 60269-4:2012 | 只测:短时耐受电流420V/120kA/1s、660V/80kA/1s及以下 |
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过载能力验证 | 低压熔断器第4部分:半导体设备保护用熔断体的补充要求 GB/T 13539.4-2016 | IEC 60269-4:2012 |
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