检测能力

• 集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO
  能力名称：集电极-发射极击穿电压V(BR)CEO

  一级类别：

  二级类别：

  标准名称/编号：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》/GB/T4587-1994

  限制说明：只测： (0-1000)V

  资质说明：
• 集电极-发射极截止电流（ICEO）
  能力名称：集电极-发射极截止电流（ICEO）

  一级类别：

  二级类别：

  标准名称/编号：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》/GB/T4587-1994

  限制说明：只测： ±2μA～±2A

  资质说明：
• 放大倍数（hFEL）
  能力名称：放大倍数（hFEL）

  一级类别：

  二级类别：

  标准名称/编号：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》/GB/T4587-1994

  限制说明：只测: IB≤20A

  资质说明：
• 老炼
  能力名称：老炼

  一级类别：

  二级类别：

  标准名称/编号：《半导体分立器件试验方法》/GJB128A-1997

  限制说明：只做： 老化电源Vb： (0-25)V；40A； 老化电源Vc： (0-60)V；20A； 反偏电压：1500V 温度：室温-150℃

  资质说明：
• 发射极-基极击穿电压V(BR)EBO
  能力名称：发射极-基极击穿电压V(BR)EBO

  一级类别：

  二级类别：

  标准名称/编号：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》/GB/T4587-1994

  限制说明：只测： (0-1000)V

  资质说明：
• 基极-发射极饱和电压(VBEsat）
  能力名称：基极-发射极饱和电压(VBEsat）

  一级类别：

  二级类别：

  标准名称/编号：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》/GB/T4587-1994

  限制说明：只测： ±100mV-±100V

  资质说明：
• 外观和机械检查
  能力名称：外观和机械检查

  一级类别：

  二级类别：

  标准名称/编号：《半导体分立器件试验方法》/GJB128A-1997

  限制说明：

  资质说明：
• 发射极-基极截止电流（IEBO）
  能力名称：发射极-基极截止电流（IEBO）

  一级类别：

  二级类别：

  标准名称/编号：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》/GB/T4587-1994

  限制说明：只测： ±2μA～±2A

  资质说明：
• 集电极-基极击穿电压V(BR)CBO
  能力名称：集电极-基极击穿电压V(BR)CBO

  一级类别：

  二级类别：

  标准名称/编号：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》/GB/T4587-1994

  限制说明：只测： (0-1000)V

  资质说明：
• 集电极-基极截止电流（ICBO）
  能力名称：集电极-基极截止电流（ICBO）

  一级类别：

  二级类别：

  标准名称/编号：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》/GB/T4587-1994

  限制说明：只测： ±2μA～±2A

  资质说明：
• 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）
  能力名称：集电极-发射极饱和电压（VCEsat）

  一级类别：

  二级类别：

  标准名称/编号：《半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管》/GB/T4587-1994

  限制说明：只测： ±100mV-±100V

  资质说明：