检测能力 | 检测标准 | 标准编号 | 限制范围 | 资质说明 | |||||
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冲击 | 半导体分立器件试验方法 | GJB128A-1997 | 只测: 半正弦波 ≤20000m/s²; |
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温度循环(温度冲击) | Test method standard electronic and electrical componet | parts MIL-STD-202G-2002 | 只测: 温度范围:-70℃~150℃ |
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冲击 | Test method standard electronic and electrical componet | parts MIL-STD-202G-2002 | 只测: 半正弦波≤20000m/s²; 后峰锯齿波≤1000m/s²; |
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低气压 | 半导体分立器件试验方法 | GJB128A-1997 | 只测:容积≤2m³,-70℃~160℃ 气压范围:常压~0.5kPa |
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密封 | 电子及电气元件试验方法 | GJB360B-2009 | 保压时间:1-10h; 充气压力:(0.2-1.0)MPa; 最小可检漏率:5×10-12mbar•L/s、5×10-13 Pa•m3/s |
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温度循环(温度冲击) | 电子及电气元件试验方法电子及电气元件试验方法 | GJB360B-2009 | 只测: 温度范围:-70℃~150℃ |
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密封 | Test method standard | microcircuits MIL-STD-883H-2010 | 条件A1,C1,A4:保压时间:1-10h; 充气压力:(0.2-1.0)MPa; 最小可检漏率:5×10-12mbar•L/s、5×10-13 Pa•m3/s |
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低气压 | 电子及电气元件试验方法 | GJB360B-2009 | 只测:容积≤2m³,-70℃~160℃ 气压范围:常压~0.5kPa |
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强碰撞冲击 | Test method standard electronic and electrical componet | parts MIL-STD-202G-2002 | 只测:落锤高度0~1.5m,摆锤角度0~90,负载≤200kg |
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粒子碰撞噪声检测试验 | 半导体分立器件试验方法 | GJB128A-1997 |
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