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反应离子刻蚀机
- 制造厂商：北方微电子
- 购置日期：2014-01-17
- 型号：GSE200plus
- 生产国别：中国
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- 功能/应用范围： 介质薄膜干法刻蚀，包括SiO2、Si3N4、SiON、SiC等
- 主要技术指标： 1.气体种类：O2、CF4、CHF3、SF6、BCl3等
Gas: O2, CF4, CHF3, SF6, BCl3 etc.
2.基片尺寸：最大支持8英寸，并向下兼容6、5、4、3、2英寸等以及破片
Substrate size: 8inch and below; broken pieces
3.射频电源 ICP电源：13.56MHz，1400W; 偏压电源：13.56MHz，800W
RF Generators：ICP source: 13.56MHz, 1400w；RF Bias: 13.56MHz, 800w
4.工艺温度：10℃到80℃可控
Process temperature: 10℃ to 80℃ controllable
5.传送模式：自动Loadlock传送系统
Wafer transfer: Automatic loadlock transfer system
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