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反应离子式深硅刻蚀系统
- 制造厂商：SPTS
- 购置日期：2014-01-20
- 型号：150mm
- 生产国别：英国
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- 功能/应用范围： 硅的干法深刻蚀，并可以扩充刻蚀Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体
- 主要技术指标： 1.气体种类：SF6、C4F8、Ar、O2等
Gas: SF6, C4F8, Ar, O2 etc.
2.基片尺寸：最大支持6英寸，并向下兼容4英寸和破片
Substrate size: Up to 6inch, applicable to 5, 4, 3, 2inch and broken pieces
3.射频电源：ICP电源：13.56MHz，1500W; 偏压电源：13.56MHz，300W
RF Generators：ICP source: 13.56MHz, 1500 W; RF Bias: 13.56MHz, 300w/400kHz, 30 W
4.工艺温度：10℃到30℃可控
Process temperature: 10℃ to 30℃ controllable
5.传送模式：自动Loadlock传送系统
Wafer transfer: Automatic loadlock transfer system
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