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卧式氧化扩散炉管系统
- 制造厂商：SVCS
- 购置日期：2014-01-17
- 型号：AH3
- 生产国别：捷克
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- 功能/应用范围： 用于半导体器件、光电子器件及集成电路制造等领域对硅晶片进行n型与P型扩散掺杂以及氧化工艺
- 主要技术指标： 1.磷扩散工艺（炉管1）
磷源：液态POCl3，工艺气体：高纯N2、O2、POCl3
Temperature: 900-970 °C
2.硼扩散工艺（炉管2）
扩散源：液态BBr3
主要工艺气体：高纯N2、O2、BBr3
3.干氧/湿氧氧化工艺（炉管3）：
主要工艺气体：高纯N2、O2、H2、DCE
4.温度范围：500-1200 °C
Process temperature：500 to 1200 degree
5.硅片尺寸：3英寸、4英寸、6英寸圆片；50片/炉
Silicon wafer: 3”,4”,6” wafer；50wafers/batch
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