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光学浮区晶体生长设备

  • 制造厂商:CRYSTAL SYSTEM公司
  • 购置日期:2003-05-28
  • 型号:FZ-T-10000-H-VI-P-SH
  • 生产国别:日本
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仪器详情
  • 功能/应用范围: 这种装置无需坩埚,此,以避免熔体和坩埚材料之间的反应。这种装置还可以实现熔剂移动的方式,这是生长非共熔材料和具有不均匀组分固熔体材料所须的。? 在过去20年中,报道了许多成功的结果,生长了许多高质量的晶体。
  • 主要附件:
  • 主要技术指标: 炉体部分,工作区尺寸:160*160*200 mm;加热区高度:200 mm;恒温区高度:100 mm;额定温度:1900℃,可使用温度:1800℃;
  • 技术特色: 无